晶圓級(jí)老化
WLBI3810
晶圓級(jí)老化系統(tǒng)
聯(lián)訊儀器WLBI3810晶圓級(jí)老化系統(tǒng)是一款專為碳化硅（SiC），氮化鎵（GaN）晶圓設(shè)計(jì)的高端老化測(cè)試設(shè)備，具備高效、精準(zhǔn)的測(cè)試能力。該系統(tǒng)可同時(shí)對(duì)9片晶圓進(jìn)行高溫柵極偏壓（HTGB）和高溫反向偏壓（HTRB）老化測(cè)試，測(cè)試時(shí)間范圍從數(shù)分鐘至數(shù)千小時(shí)，靈活適應(yīng)不同產(chǎn)品的老化需求。設(shè)備集成了全自動(dòng)上下料系統(tǒng)，采用三卡塞設(shè)計(jì)，支持無(wú)縫切換，并具備自動(dòng)切換老化條件的功能，確保測(cè)試過(guò)程的高效性和連續(xù)性。
該系統(tǒng)能夠?qū)γ總€(gè)Die的閾值電壓（Vth）進(jìn)行高精度檢測(cè)，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。每個(gè)測(cè)試通道均配備了獨(dú)立的過(guò)電流保護(hù)功能，有效保障被測(cè)器件的安全性。此外，系統(tǒng)可生成詳細(xì)的Map數(shù)據(jù)，為用戶提供全面的性能分析和質(zhì)量控制依據(jù)。無(wú)論是大規(guī)模批量生產(chǎn)中的穩(wěn)定老化測(cè)試，還是研發(fā)階段的靈活配置需求，WLBI3810系統(tǒng)均能提供可靠的解決方案，滿足多樣化的測(cè)試要求。
特點(diǎn)
自動(dòng)化上下料
支持晶圓的全自動(dòng)上料和下料
高精度定位
針痕重復(fù)定位精度達(dá)到±10μm
系統(tǒng)功能豐富
支持高密度探針卡以及高壓Chuck
多模式老化
系統(tǒng)支持 HTGB 與 HTRB 模式的自動(dòng)切換
漏電配置掃描
Igss與Idss漏電配置可掃描
集成測(cè)試功能
集成Vth參數(shù)測(cè)試
高精度漏電流測(cè)試
最高精度漏電流分辨率可以達(dá)到0.1nA
溫度控制
溫度均勻性≤±3℃，準(zhǔn)確性≤1℃，分辨率0.1℃功能與優(yōu)勢(shì)
整機(jī)最多可適配9個(gè)老化工位，每工位可以老化一片wafer，且每工位電路獨(dú)立控制可以實(shí)現(xiàn)不同工位工作在不同模式，可以通過(guò)調(diào)用老化Plan進(jìn)行不同的老化驗(yàn)證。
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序號(hào) |
機(jī)型名稱 |
產(chǎn)品描述 |
參數(shù) |
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1 |
晶圓級(jí)老化系統(tǒng)主機(jī)架 |
WLBI3810-M |
- 包含系統(tǒng)機(jī)架、電氣柜、上下料機(jī) - 支持晶圓上料、下料全自動(dòng) - 支持針痕重復(fù)定位精度±10μm - 支持Map數(shù)據(jù)綁定，數(shù)據(jù)可追溯 - HTGB與HTRB自動(dòng)可切換 - Igss與Idss漏電配置可掃描 - 集成Vth參數(shù)測(cè)試 - 靈活配置老化計(jì)劃 - 支持SECS/GEM通訊接口 - 軟件支持本地?cái)?shù)據(jù)和數(shù)據(jù)庫(kù)上傳，支持EAP對(duì)接 - 支持CP MAP數(shù)據(jù)導(dǎo)入 - 支持在線編輯測(cè)試Recipe - 軟件支持三級(jí)權(quán)限管理和多賬號(hào)管理 備注：HTGB+HTRB：滿配9工位 |
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2 |
晶圓級(jí)老化系統(tǒng)單層 |
WLBI3810-L |
- 高精度漏電流測(cè)試，最高精度漏電流分辨率可以到0.1nA - 支持氮?dú)獗Ｗo(hù)，防止高壓打火和Pad氧化。 - 溫度均勻性≤±3℃，準(zhǔn)確性≤1℃，分辨率0.1℃ - 高密度探針卡以及支持高壓Chuck - 高精度和高可靠性加熱及溫控系統(tǒng) - 6&8寸晶圓 - Full Touch, 一次老化所有Die，最高2560個(gè)Die - 1年免費(fèi)維護(hù) 備注：HTGB+HTRB滿配9工位 |
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3 |
晶圓級(jí)老化系統(tǒng)夾具 |
WLBI3800-F |
- 針對(duì)SiC晶圓老化：HTGB+HTRB - 支持6&8寸晶圓 - 最高支持2560個(gè)Die |
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Details
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